[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
درباره مرکز تحقیقات::
معرفی افراد::
فعالیت های علمی پژوهشی::
اخبار و اطلاعات جاری::
فضاهای آموزشی و تحقیقاتی::
تسهیلات پایگاه::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
نظرسنجی
وب سايت اين مركز را چگونه ارزيابي مي فرماييد؟
كارآمد و پربار
قابل قبول
مي تواند بهتر باشد
متوسط
   
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
  تهران ، نارمک ، دانشگاه علم و صنعت ایران،، دانشکده برق، مرکز تحقیقات نانوپترونیکس
کد پستی: 13114-16846
 تلفن: 73222667-021
فکس: 73225777-021
پست الکترونیک:
nrc( -At -) iust.ac.ir
..
:: چکیده پایان نامه مهندس عنایتی ::

AWT IMAGE
AWT IMAGE

چکیده
 

در سال­های اخیر، بسیاری از تحقیقات بر روی آشکارسازهای نوری فرابنفش با کارایی بالا متمرکز شده است. کاربردهای مهم این ادوات در زمینه­های نظامی و غیر نظامی کاملاً مشهود است. دیودهای سد شاتکی با ساختار فلز نیمه­هادی با ویژگی­های مهم سادگی ساخت، زمان پاسخ کوتاه، قابلیت مجتمع سازی، جریان تاریکی پایین و توانایی عملکرد تحت بایاس مستقیم و معکوس از جمله آشکارسازهای مهم محسوب می­شوند. از میان نیمه­هادی­های مورد استفاده، ZnO با داشتن شکاف باند مستقیم و بزرگ دارای مزیت­های ویژه­ای در زمینه الکترونیک نوری و در گستره فرابنفش است. لذا با توجه به اهمیت این موضوع، پایان­نامه حاضر به طراحی و شبیه­سازی آشکارسازهای فرابنفش بر مبنایZnO با بهینه­سازی بازدهی کوانتومی و جریان تاریکی خواهد پرداخت.

در این پایان­نامه مکانیزم انتقال جریان در آشکارسازهای فرابنفش بر مبنای ZnO با ساختار فوق مورد تحلیل و شبیه­سازی قرار گرفته شده است. این تحلیل بر مبنای گسیل ترمیونیک و اثر تونل­زنی حامل­ها استوار می­باشد. کمترین جریان تاریکی در بایاس 3 ولت مربوط به الکترود Ru به مقدار A10-10´04/6 به دست آمد. علاوه بر این به منظور افزایش سد شاتکی و کاهش بیشتر جریان تاریکی از نشست یک لایه عایقی بسیار نازک بین فلز و نیمه­هادی استفاده شد که می­تواند با روش­های خاصی مانند نشست بخار شیمیایی به کمک پلاسما صورت گیرد. تحلیل و شبیه­سازی این ادوات نشان می­دهد که در بایاس 3 ولت به ترتیب با ضخامت­های 3، 5، 7 و 10 نانومتر، جریان تاریکی به ترتیب برابر با 11-10´87/2، 13-10´23/8، 14-10´35/2، 16-10´14/1 آمپر است. هم­چنین از مهم­ترین پیشنهادها برای افزایش بازدهی کوانتمی در این ادوات می­توان تابش از زیرلایه و استفاده از لایه نازک عایقی روی سطح ZnO را نام برد. با استفاده از ماده TiO2 به ضخامت 1 نانومتر، بازدهی کوانتمی 7/46 درصد حاصل شده است.

دفعات مشاهده: 2073 بار   |   دفعات چاپ: 642 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 78 بار   |   0 نظر

کد امنیتی را در کادر بنویسید >
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به مرکز تحقیقات نانوپترونیکس ایران می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .
Persian site map - English site map - Created in 0.192 seconds with 960 queries by yektaweb 3506