[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
درباره مرکز تحقیقات::
معرفی افراد::
فعالیت های علمی پژوهشی::
اخبار و اطلاعات جاری::
فضاهای آموزشی و تحقیقاتی::
تسهیلات پایگاه::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
نظرسنجی
وب سايت اين مركز را چگونه ارزيابي مي فرماييد؟
كارآمد و پربار
قابل قبول
مي تواند بهتر باشد
متوسط
   
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
  تهران ، نارمک ، دانشگاه علم و صنعت ایران،، دانشکده برق، مرکز تحقیقات نانوپترونیکس
کد پستی: 13114-16846
 تلفن: 73222667-021
فکس: 73225777-021
پست الکترونیک:
nrc( -At -) iust.ac.ir
..
:: مدار معادل سلول های خورشیدی ::
AWT IMAGE
مدار معادل سلول های خورشیدی
 
سلول خورشیدی می تواند به صورت یک منبع جریان موازی با یک دیود مدل سازی شود. زمانی که هیچ نوری برای تولید جریان وجود ندارد، سلول خورشیدی به عنوان یک دیود عمل می کند. هنگامی که شدت نور تابیده به سلول افزایش می یابد، همانطور که در شکل های قبلی نشان داده شده است، جریانی متناسب با شدت نور ورودی به وسیله سلول خورشیدی تولید می شود. این جریان نوری بین مقاومت متغیر دیود و بار، با نسبتی که بستگی به مقاومت بار و شدت تابش دارد تقسیم می شود. در یک سلول ایده آل، کل جریان I با جریان تولید شده توسط اثر فتوالکتریک، IL ، منهای جریان دیود ، ID ، برابر است. در مدار معادل دقیق تر سلول خورشیدی به جای یک دیود، دو دیود وجود دارد. با این توضیحات و با استفاده از روابط مربوط به سلول خورشیدی می توان رابطه ای کلی به صورت زیر ارائه داد.
 
AWT IMAGE
 
در این رابطه n ضریب ایده آلی دیود (معمولا بین 1 و 2) و RS و RSH به ترتیب مقاومت های سری و موازی (شنت) را نشان می دهد که در ادامه توضیح داده خواهند شد. همچنین مدار معادل با سلول خورشیدی با استفاده از رابطه بالا به صورت زیر خواهد بود.
 
AWT IMAGE
 
شکل 1) مدار معادل یک سلول خورشیدی
 
 
در طی انجام کار در سلول خورشیدی واقعی، بازده سلول بوسیله اتلاف توان در مقاومت های داخلی از جمله مقاومت اتصالات و همچنین از طریق جریان های نشتی در دو طرف قطعه کم می شود. این مقاومت های پارازیتی همانگونه که در شکل بالا نشان داده شده است، می تواند به عنوان یک مقاومت موازی (RSH) و مقاومت سری (RS) مدل سازی شود. برای یک سلول ایده آل، RSH بی نهایت خواهد بود و مسیر دیگری برای انتشار جریان ایجاد نخواهد شد. همچنین برای سلول ایده آل مقاومت RS صفر خواهد بود که در این صورت منجر به کاهش ولتاژ اضافی قبل از بار نخواهد شد. همانطور که در شکل زیر نشان داده شده است هنگامی که RSH کاهش می یابد، مقدار VOC افت می کند در حالی که به طور مشابه، افزایش RS باعث کاهش ISC می گردد. در نهایت کاهش مقاومت موازی و افزایش مقاومت سری باعث کاهش ضریب پری (FF) و توان ماکزیمم خواهد بود.
 
AWT IMAGE
شکل 2) اثر افزایش مقاومت سری و کاهش مقاومت موازی روی توان ماکزیمم. (منحنی های بیرونی در هردو حالت برای RS=0 و RSH=∞ است) .
 
 مقاومت های سری و موازی را می توان تقریبا از روی شیب منحنی I – V به ترتیب در نقاط VOC و ISC به دست آورد.
AWT IMAGE
شکل 3) بدست آوردن مقاومت های سری و موازی از روی منحنی I – V
مقاومت سری برخواسته از مقاومت ماده سلول در برابر شارش جریان، مخصوصا از طریق سطح بالایی به اتصالات، و همچنین اتصالات مقاومتی است. مقاومت سری در چگالی جریان های بالا، برای مثال تحت نور متمرکز شده یک مشکل خاص به شمار می رود. مقاومت موازی نیز در اثر نشت جریان از طریق سلول در اطراف لبه های قطعه و بین اتصالات قطب های مختلف ایجاد می شود .
دفعات مشاهده: 9648 بار   |   دفعات چاپ: 1813 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 117 بار   |   0 نظر

کد امنیتی را در کادر بنویسید >
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به مرکز تحقیقات نانوپترونیکس ایران می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .
Persian site map - English site map - Created in 0.194 seconds with 961 queries by yektaweb 3455