[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
درباره مرکز تحقیقات::
معرفی افراد::
فعالیت های علمی پژوهشی::
اخبار و اطلاعات جاری::
فضاهای آموزشی و تحقیقاتی::
تسهیلات پایگاه::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
نظرسنجی
وب سايت اين مركز را چگونه ارزيابي مي فرماييد؟
كارآمد و پربار
قابل قبول
مي تواند بهتر باشد
متوسط
   
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
  تهران ، نارمک ، دانشگاه علم و صنعت ایران،، دانشکده برق، مرکز تحقیقات نانوپترونیکس
کد پستی: 13114-16846
 تلفن: 73222667-021
فکس: 73225777-021
پست الکترونیک:
nrc( -At -) iust.ac.ir
..
:: دفاعیه کارشناسی ارشد ::
AWT IMAGE
 آقای مهندس محمدحسین حاج غلام در تاریخ 30/6/1390 از پایان نامه خود با عنوان " ساخت لایه نازک Ag-TiO2  و بررسی خواص نوری آن" دفاع کردند.
  چکیده

 

  TiO2 یک اکسید نیمه­رسانا است، که به علت قدرت اکسیداسیون بالا، پایداری شیمیایی خوب، غیرسمی­بودن، فعالیت­های فتوکالیستی جالبی را دارا می­باشد. در سال­های اخیر، اکسید تیتانیوم به صورت گسترده­ای به عنوان پایه کاتالیست­ها، پر­کننده­ها یا فیلرها و بسیاری کاربردهای متنوع دیگر مورد استفاده قرار گرفته شده است. برای بهبود ویژگی­های نوری لایه نازک اکسید تیتانیوم، از نانو ذرات نقره استفاده می­شود. طبق نتایج گزارش شده در مقالات و کتب، در روش سل- ژل، مواد اولیه کمتری مورد استفاده قرار می‌گیرد که حذف ناخالصی آنها نیز نسبت به سایر روش‌ها بهتر انجام می‌شود. در نتیجه ناخالصی محصول کمتر شده و نیز کنترل شرایط فرایند نسبتا راحت‌تر صورت می­گیرد. در این پروژه، ابتدا خواص نوری فیلم های TiO2 به صورت تئوری بررسی شده است. سپس نمونه­های مختلفی از فیلم نازک TiO2 به روش سل ژل و با استفاده از دستگاه اسپین کوتر بر روی بستر شیشه لایه نشانی می­شود. این لایه­ها، بسته به شرایطی مختلفی از جمله تغییرات دمای پخت زیر لایه، تغییرات سرعت موتور اسپین کوتر، اضافه کردن موادی مانند متیل سلولوز و نانوذرات TiO2 ، آلایش با نانو ذرات نقره و ... ، که بر روی آنها اعمال می­شود، دارای طیف نوری متفاوتی می­باشند. طیف نوری این نمونه ها به کمک دستگاه UV-vis گرفته شده و با هم مقایسه می­شود. در ادامه، اندازه و ریخت‌شناسی بلوری آنها نیز از طریق تصویربرداری SEM بدست می­آید. سپس اثر تغییرات دمای پخت، سرعت و اثر مواد توسط SEM نشان داده شده است. در نهایت شکاف باند این نمونه­ها از طریق طیف Uv-vis محاسبه شده است.

دفعات مشاهده: 2105 بار   |   دفعات چاپ: 491 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 82 بار   |   0 نظر

کد امنیتی را در کادر بنویسید >
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به مرکز تحقیقات نانوپترونیکس ایران می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .
Persian site map - English site map - Created in 0.249 seconds with 961 queries by yektaweb 3455