[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
درباره مرکز تحقیقات::
معرفی افراد::
فعالیت های علمی پژوهشی::
اخبار و اطلاعات جاری::
فضاهای آموزشی و تحقیقاتی::
تسهیلات پایگاه::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
نظرسنجی
وب سايت اين مركز را چگونه ارزيابي مي فرماييد؟
كارآمد و پربار
قابل قبول
مي تواند بهتر باشد
متوسط
   
..
اطلاعات تماس
AWT IMAGE
  تهران ، نارمک ، دانشگاه علم و صنعت ایران،، دانشکده برق، مرکز تحقیقات نانوپترونیکس
کد پستی: 13114-16846
 تلفن: 73222667-021
فکس: 73225777-021
پست الکترونیک:
nrc( -At -) iust.ac.ir
..
:: دفاعیه کارشناسی ارشد ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۵/۸/۲۴ | 

آقای علی باغبان پرشکوه از دانشجویان فعال مرکز تحقیقات نانوپترونیکس در تاریخ 23 آبان ماه از پایان نامه خود تحت عنوان "طراحی و شبیه سازی ساختاری نوین به منظور بهینه سازی پارامترهای الکتریکی و نوری در سلول های خورشیدی (CZT(S,Se " با موفقیت دفاع نمودند.

استاد راهنما: دکتر شهرام محمد نژاد

هیات داوری: دکتر علی صدر؛ دکتر مهدی حیدرثانی

چکیده:

سلول های خورشیدی CZTSSe دسته ای از سلول های لایه نازک هستند که قابلیت های خوبی برای جایگزینی انواع CIGS و CdTe از خود نشان داده اند. بازدهی پیشرو این سلول ها %6/12 بوده که با استفاده از روش های محلولی و با حلال های هیدروزینی به ثبت رسیده است. در ابتدای این پایان¬نامه، پس از معرفی انرژی خورشیدی و اهمیت آن، با تمرکز روی سلول های خورشیدی لایه نازک، زمینه برای تحلیل و بررسی دسته کستریت ها (CZTS، CZTSe و CZTSSe) فراهم می شود. سپس، خواص مختلف کستریت ها اعم از ساختار، مواد، روش های ساخت، نقص ها و فناوری ها را بررسی می کنیم. محدودیت اساسی این دسته از سلول ها در افزایش بازدهی، بالا بودن نرخ بازترکیب در مرز های اطراف لایه جاذب  می باشد که به شدت ولتاژ مدار باز را تحت تاثیر قرار می دهد. پس از معرفی فرایند طراحی شکاف باند درجه بندی شده، کاهش بازترکیب و به دنبال آن افزایش پارامترهای خروجی سلول خورشیدی با بهره گیری از این خاصیت را در دستور کار قرار می دهیم. با  ارائه ساختار پیشنهادی سلول خورشیدی CZTSSe، شبیه سازی ها برای رسیدن به ضخامت بهینه، انتخاب شکاف باند مبنا و طراحی مدل نهایی شکاف باند به عنوان عامل اصلی بهبود بازدهی را انجام می گیرد. نتایج شبیه سازی نشان  می دهد که استفاده از دو ناحیه یکنواخت با شکاف باند 1.3 eV در دو انتهای جاذب برای کنترل بازترکیب مفید می باشد که البته تفاوتهایی میان این نواحی وجود دارد. به عبارت دیگر، حفظ چگالی جریان در عین افزایش ولتاژ مدار باز همواره باید مد نظر قرار گیرد. برای غلبه بر این موانع، مدل پیشنهادی نهایی برای شکاف باند لایه جاذب که Inside Graded نام دارد در دوحالت ایده آل و  شبه عملی معرفی می شود که این دو مدل به ترتیب به بازدهی های %92/16 و %56/16 منجر می شوند. در پایان، روند پیشرفت پایان نامه و جمع بندی مباحث انجام شده که در آن نتایج مورد تحلیل و مقایسه قرار می گیرند.

AWT IMAGE

دفعات مشاهده: 660 بار   |   دفعات چاپ: 73 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 0 بار   |   0 نظر

کد امنیتی را در کادر بنویسید >
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به مرکز تحقیقات نانوپترونیکس ایران می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .
Persian site map - English site map - Created in 0.338 seconds with 957 queries by yektaweb 3506